[发明专利]图像传感器

摘要

本发明公开了一种图像传感器，感光结构和像素读出电路都形成于带有绝缘埋层的半导体衬底上，具有高速、低功耗、抗闭锁、抗辐射的优点。感光结构包括横向排列且呈包围式结构四个掺杂区，四个掺杂区中包括一光吸收层和一个雪崩倍增区。横向包围式结构能够消除较薄的顶层半导体层对光吸收层的厚度的限制，增加光吸收层的宽度和面积，从而能够提高感光结构的光吸收效率。雪崩倍增区能大幅度提高感光结构的光电转换效率、进一步提高感光结构的光吸收效率。

主权项

一种图像传感器，形成于带有绝缘埋层的半导体衬底上，所述衬底自上而下包括顶层半导体层、绝缘层、支撑衬底，其特征在于：所述图像传感器的像素单元电路包括感光结构和像素读出电路，所述感光结构和所述像素读出电路都形成于所述顶层半导体层上、且所述像素读出电路具有间隔的形成于所述感光结构旁侧；所述感光结构包括横向排列且呈包围式结构的四个掺杂区，各相邻所述掺杂区之间形成接触连接；各所述掺杂区由内到外依次为第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；所述第一掺杂区和所述第三掺杂区都为第一半导体类型掺杂，所述第二掺杂区和所述第四掺杂区都为第二半导体类型掺杂。