[发明专利]电容式麦克风的薄膜结构及其的形成方法有效
| 申请号： | 201110231666.4 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102932719A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 刘国安;刘煊杰;何云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电容式麦克风的薄膜结构，包括：基底，位于所述基底上的复合多晶硅层，所述复合多晶硅层至少包括一层掺杂多晶硅层及一层与所述掺杂多晶硅层不同层的未掺杂多晶硅层。本发明还提供一种电容式麦克风的薄膜结构的形成方法。通过所述掺杂多晶硅层与未掺杂多晶硅对基底的应力相消，使得所述薄膜结构平坦。而又因为电容式麦克风是通过薄膜结构的形变以获得电容值，所以平坦的薄膜结构可以提高所述电容式麦克风的薄膜结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 麦克风 薄膜 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电容式麦克风的薄膜结构，其特征在于，包括：基底，位于所述基底上的复合多晶硅层，所述复合多晶硅层至少包括一层掺杂多晶硅层及一层与所述掺杂多晶硅层不同层的未掺杂多晶硅层。
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