[发明专利]MOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110231903.7 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102931235A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS晶体管及其制造方法，通过去除栅极结构正下方的部分厚度或者全部厚度的轻掺杂区，即减小甚至去除了该部分轻掺杂区所引起的短沟道效应，从而即使形成结深较深的源漏扩展区以减小源漏扩展区的串联电阻，也将能很好的控制短沟道效应，实现了同时较好地控制短沟道效应和获取较小的源漏延伸区的串联电阻。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；栅极结构，包括位于所述半导体衬底中的第一栅极结构以及位于所述第一栅极结构上的第二栅极结构，所述第二栅极结构高出所述半导体衬底；位于所述栅极结构两侧的侧墙结构，所述侧墙结构高出半导体衬底；源漏扩展区，位于所述栅极结构两侧的半导体衬底中；以及源漏区，位于所述侧墙结构两侧的半导体衬底中。
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