[发明专利]高介电性能聚芳醚酮/聚苯胺-碳纳米管复合材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110233290.0 申请日: 2011-08-16
公开(公告)号: CN102337019A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 张云鹤;王琦桐;王贵宾;刘晓;姜振华 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C08L71/10 分类号: C08L71/10;C08L61/16;C08K9/10;C08K7/00;C08K3/04;C08J5/18;B29C39/00;H01G4/14
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明的高介电性能聚芳醚酮/聚苯胺-碳纳米管复合材料及其制备方法属于聚合物基纳米复合材料及其制备的技术领域。复合材料的组成成分包括磺化聚醚醚酮酮和聚苯胺包覆的碳纳米管,按质量计聚苯胺包覆的碳纳米管占10~50%,其余为磺化聚醚醚酮酮。制备方法是利用聚苯胺-碳纳米管作为改性填充材料,磺化聚醚醚酮酮作为基体材料,N-甲基吡咯烷酮作为溶剂,溶液共混搅拌均化;再浇铸成模。本发明由于填充材料的有机包覆层不仅可以使粒子均匀分散,而且可以降低渗流电流产生的可能,在保证介电常数的同时,降低其介电损耗;由本发明得到的具有良好加工性能和优良介电性能的高介电复合材料,可以在嵌入式电容中获得应用。
搜索关键词: 高介电 性能 聚芳醚酮 苯胺 纳米 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高介电性能聚芳醚酮/聚苯胺‑碳纳米管复合材料,组成成分是磺化聚醚醚酮酮和聚苯胺包覆的碳纳米管,按质量分数和为100%计算,聚苯胺包覆的碳纳米管占5~45%,其余为磺化聚醚醚酮酮。
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