[发明专利]沟槽式功率半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110234133.1 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102938414A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 张渊舜;蔡依芸;涂高维 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 项荣;姚垚 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法，该沟槽式功率半导体元件包括一底材、多个沟槽、多个第一重掺杂区、至少一本体区、至少一源极掺杂区、一接触窗、一第二重掺杂区与一金属图案层；这些沟槽位于底材内；各个第一重掺杂区分别形成于相对应的沟槽的下方，并且互相连接形成一导电通道；在各个第一重掺杂区与相对应的沟槽之间分别具有一轻掺杂区，以阻止第一重掺杂区向上扩张；本体区环绕沟槽，并与第一重掺杂区间隔一预设距离；源极掺杂区位于本体区上方；接触窗位于底材的边缘处；第二重掺杂区位于接触窗的下方，并电性连接导电通道；金属图案层填入接触窗以电性连接第二重掺杂区。本发明可以简化制造流程，降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽式功率半导体元件，其特征在于，包括：一底材；多个沟槽，位于该底材内，所述多个沟槽包括至少一个栅极沟槽；至少一个栅极多晶硅结构，位于该栅极沟槽内；一栅极介电层，包覆该栅极多晶硅结构的侧面与底面；多个第一重掺杂区，至少形成于部分所述多个沟槽的下方，该第一重掺杂区与相对应的该沟槽的底部间隔一定距离，并且，所述多个第一重掺杂区互相连接形成一导电通道；至少一本体区，环绕该栅极沟槽，并与该第一重掺杂区间隔一预设距离；至少一源极掺杂区，位于该本体区上方；一层间介电层，覆盖该栅极多晶硅结构，并定义出至少一源极接触窗以裸露该源极掺杂区；一漏极接触窗，位于该底材的边缘处；一第二重掺杂区，位于该漏极接触窗下方，以电性连接该导电通道；以及一金属图案层，填入该漏极接触窗以电性连接该第二重掺杂区。
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