[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110234502.7 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102938415A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，包括衬底、位于衬底中的沟道区、位于衬底中的源漏区、位于沟道区上的栅极堆叠结构、位于栅极堆叠结构两侧的侧墙、位于侧墙两侧的源漏区上的提升源漏，其特征在于：提升源漏由金属硅化物构成，源漏区与提升源漏之间具有外延生长的超薄金属硅化物。依照本发明的新型MOSFET器件及其制造方法，由于在提升源漏下方具有外延生长的超薄金属硅化物，使其直接与沟道区接触，避免出现侧墙与源漏之间的高阻区，且与单层或多层的金属硅化物材质的提升源漏共同进一步降低了源漏寄生电阻和接触电阻，大幅提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、位于衬底中的沟道区、位于衬底中的源漏区、位于沟道区上的栅极堆叠结构、位于栅极堆叠结构两侧的侧墙、位于侧墙两侧的源漏区上的提升源漏，其特征在于：提升源漏由金属硅化物构成，源漏区与提升源漏之间具有外延生长的超薄金属硅化物。
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