[发明专利]一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201110234519.2 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102254814A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李涛;周春兰;宋洋;郜志华;罗运强;段野;李友忠;王文静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所;中轻太阳能电池有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用。所述的选择性刻蚀溶液由质量浓度为1％～10％的氢氟酸溶液和相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数83.6的溶剂组成。其中，氢氟酸溶液与溶剂的体积比为1∶1～10∶1。在激光刻蚀硅衬底之后，使用本发明选择性刻蚀溶液处理同时具有氧化硅和氮化硅的工作面，时间为5秒～120秒，处理之后能够在有效去除激光刻蚀区域氧化硅的同时，保留非激光刻蚀区域的氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 选择性 刻蚀 溶液 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用，其特征是，所述的选择性刻蚀溶液由质量浓度为1％～10％的氢氟酸溶液和相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数83.6的溶剂组成，所述的氢氟酸溶液与所述的溶剂的体积比为1∶1～10∶1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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