[发明专利]用于填充晶片中的空腔的方法、相应填充的盲孔和具有相应填充的绝缘沟槽的晶片有效
| 申请号： | 201110235542.3 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102376589A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | J·弗赖;H·韦伯;E·格拉夫;R·施洛瑟 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/14;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于填充晶片中的空腔(20)的方法，其中，这些空腔(20)是朝着晶片的一个预先确定的表面敞开的，所述方法具有以下步骤：在所述晶片的预先确定的表面上施加漆类的填充材料(30)；在第一温度下烘焙所述晶片；通过在第二温度下在真空下烘焙所述晶片来排出包围在所述填充材料(30)中的气泡，所述第二温度与所述第一温度相同或者高于所述第一温度；通过在第三温度下烘焙所述晶片来使填充材料(30)硬化，所述第三温度高于所述第二温度。此外，本发明还涉及一种借助这样的方法填充的盲孔(20B)和通常3D空腔以及一种具有硅敷镀通孔的借助于这样的方法填充的绝缘沟槽(20A)的晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 填充 晶片 中的 空腔 方法 相应 具有 绝缘 沟槽 | ||
【主权项】：
用于填充晶片中的空腔(20)的方法，其中，所述空腔(20)是朝着所述晶片的一个预先确定的表面敞开的，所述方法具有以下步骤：在所述晶片的所述预先确定的表面上施加漆类的填充材料(30)；在第一温度下烘焙所述晶片；通过在第二温度下在真空下烘焙所述晶片来排出包围在所述填充材料(30)中的气泡，所述第二温度与所述第一温度相同或者高于所述第一温度；通过在第三温度下烘焙所述晶片来使填充材料(30)硬化，所述第三温度高于所述第二温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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