[发明专利]单片微波集成电路

摘要

本发明提供一种单片微波集成电路。将高电阻率(例如≥100Ohm-cm)半导体基板和较低电阻电感器用于IC，能够避免或减轻微波频率下操作时与单片集成电路(IC)的无源构件相关联的低Q。这消除了来自置于基板上的平面电感器和互联的显著的基板中电磁耦合损耗。有源晶体管接近前面地形成在基板中。平面电容器也形成在基板的前面上方。使用基板通孔，将晶体管、电容器和电感器的不同端子耦合到基板的背面上的地平面，以最小化寄生电阻。通过将平面电感器和重电流承载导体定位在可以使它们基本上更厚和具有更低电阻的、IC的外表面上来最小化与它们相关联的寄生电阻。结果得到之前无法获得的单片微波IC。

主权项

一种单片微波集成电路，包括：半导体基板，所述半导体基板具有等于或大于约100Ohm‑cm的体电阻率，且具有前表面和背表面；至少一个晶体管，所述至少一个晶体管在所述半导体基板中，且具有输入端子、输出端子和基准端子；至少一个电容器，所述至少一个电容器单片地形成在所述半导体基板上方；至少一个电感器，所述至少一个电感器单片地形成在所述半导体基板上方；以及平面互联，所述平面互联置于所述半导体基板上，耦合所述至少一个晶体管、电容器和电感器以形成单片集成电路。