[发明专利]使用类似SRAM接口的NAND闪存存储器无效
| 申请号： | 201110237577.0 | 申请日： | 2011-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102955752A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 丁真如 | 申请（专利权）人： | 上海摩晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200235 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明用于存储器的设计，提出了一种使用类似SRAM接口的NAND闪存存储器的方案，从而在应用上取代更昂贵的NOR闪存。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 类似 sram 接口 nand 闪存 存储器 | ||
【主权项】：
一种用周边电路在NAND闪存芯片上实现类似SRAM的接口的存储器设计。
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