[发明专利]一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法

摘要

本发明涉及一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法，其工艺步骤为：先清洗、烘干，摆放，然后检漏，恒温处理，冷却，最后合格后重新清洗并包装。处理方法简单、简便；所需设备简单，整个过程主要的设备只需要一台多晶铸锭炉，及一只多晶石英坩埚；处理效果明显，经过处理后，电阻率分布不均及偏高的现象可以彻底消除；优点在于，不仅解决了硅片因金属杂质元素轻微超标而导致电阻率出现分布不均的疑难问题，消除此类异常硅片电阻率分布不均匀的现象，使硅片符合太阳能电池片生产要求。

主权项

一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法，其特征在于，所述的具体工艺步骤如下：1）先将异常的硅片经过硅片全自动清洗机进行清洗并烘干；2）将清洗并烘干的异常硅片竖立于喷涂并烧结好的多晶铸锭用坩埚内，摆放过程中应该注意在硅片与坩埚、硅片与硅片之间留一定的空隙，将硅片按50‑100片为一摞竖立放置于喷涂并烧结好的石英坩埚内，摞与摞之间用平整的石英坩埚片隔开；3）将坩埚按正常多晶铸锭工艺置于多晶铸锭炉内，并进行抽真空和检漏，待检漏通过后，将运行程序设定为：温度控制模式，温度为600~800℃，隔热笼位置为0，炉内压力为200mba左右，出气控制模式，使炉内保持600~800摄氏度进行恒温处理，处理时间为2~4小时；4）恒温处理2~4小时后，关闭加热器，保持隔热笼关闭的状态，待温度降到500度以下时，将隔热笼打开到8cm，使硅片随炉冷却至300度以下，然后进行开炉，将硅片取出进行自然冷却至室温；5）将硅片取出并重新清洗及包装。