[发明专利]ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110239699.3 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102277570A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 宋佳;李文英;姜来新;尹桂林;余震;何丹农 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C14/35;C23C14/18;C23C16/44;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光电材料技术领域的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，通过在基片上依次进行原子层沉积ZnO薄膜，磁控溅射沉积Cu中间层，原子层沉积ZnO薄膜。利用ZnO良好的光电特性和Cu的低电阻率，加入Cu中间层，形成ZnO/Cu/ZnO的三明治结构。由于Cu的掺入，载流子浓度增加，薄膜的导电性能有了很大的提高，电阻率可低至8.6×10-5Ω·cm，同时可见光透过率高，可达80%以上；且由于原子层沉积为自限制反应，薄膜的均匀性极好。 | ||
| 搜索关键词： | zno cu 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：在基片上依次进行原子层沉积ZnO薄膜，磁控溅射沉积Cu中间层，以及原子层沉积ZnO薄膜，得到ZnO/Cu/ZnO的三明治结构的透明导电薄膜。
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