[发明专利]光电传感器无效
申请号: | 201110239980.7 | 申请日: | 2011-08-19 |
公开(公告)号: | CN102956652A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 刘若鹏;栾琳;孙豪文 | 申请(专利权)人: | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种光电传感器,其包括基于CMOS工艺的平面光波导及以集成电路实现的传感器,所述平面光波导及传感器集成在一芯片上,所述平面光波导设置在金属布线层上,所述传感器的感光元件用于响应所述平面光波导传导的光信号。本发明通过采用标准CMOS工艺制作平面光波导,然后将平面光波导与以集成电路实现的传感器制作在同一块芯片上,实现了平面光波导与传感器片上集成,因而体积小,能把入射的信号光更好地聚集到传感器的感光元件上,从而提高了传感器的量子效率,探测灵敏度及光学性能,其制作工艺简单,便于集成,解决了光电传感器难以同时集成复杂的光电性能在单一芯片上的问题,成本低,便于大规模产业化制作。 | ||
搜索关键词: | 光电 传感器 | ||
【主权项】:
一种光电传感器,其特征在于:包括基于CMOS工艺的平面光波导及以集成电路实现的传感器,所述平面光波导及传感器集成在一芯片上,所述平面光波导设置在金属布线层上,所述传感器的感光元件用于响应所述平面光波导传导的光信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的