[发明专利]低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法有效
| 申请号： | 201110240916.0 | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102412149A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，包括以下步骤：步骤一、锗硅异质结双极晶体管的发射极采用多晶硅层，对发射极作掺杂后进行快速热退火，对杂质进行扩散再分布；步骤二、对多晶硅发射极作中高剂量的大原子杂质的预非晶化离子注入，并快速退火，实现非晶化的发射极再结晶，生成单晶层，使得发射区/基区结由单晶硅/单晶锗硅构成；步骤三、预非晶化离子注入后需立即进行快速热退火，对非晶化的发射极作再结晶处理。本发明可以减小由于多晶硅发射极所引起的噪声，改善器件的噪声特性。 | ||
| 搜索关键词： | 噪声 锗硅异质结 双极晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、锗硅异质结双极晶体管的发射极采用多晶硅层，对发射极作掺杂后进行快速热退火，对杂质进行扩散再分布；步骤二、对多晶硅发射极作中高剂量的大原子杂质的预非晶化离子注入，并快速退火，实现非晶化的发射极再结晶，生成单晶层，使得发射区/基区结由单晶硅/单晶锗硅构成；步骤三、预非晶化离子注入后需立即进行快速热退火，对非晶化的发射极作再结晶处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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