[发明专利]基于非晶多元金属氧化物的柔性电阻式非易失性存储器无效

专利信息
申请号: 201110241003.0 申请日: 2011-08-22
公开(公告)号: CN102280578A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 徐海阳;王中强;张磊;于浩;李兴华;刘益春 申请(专利权)人: 东北师范大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 长春市东师专利事务所 22202 代理人: 刘延军;李荣武
地址: 130024 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明公开一种基于非晶多元金属氧化物的柔性电阻式非易失性存储器,该存储器包括:柔性衬底,柔性电极,柔性非晶多元金属氧化物层,其中非晶氧化物层具有可变电阻特性。本发明采用柔性衬底/金属/非晶多元金属氧化物/金属这一多层结构作为柔性存储器的存储单元,器件不但具有良好的电阻转变特性,且表现出优异的柔性特征。在不同角度的、连续多次的弯曲测试中,器件运行稳定、存储性能没有退化、存储信息未丢失,表明该柔性存储器具有良好的机械抗疲劳性,可以满足未来电子产品在可移植性、轻便化与便携性上的发展需求。
搜索关键词: 基于 多元 金属 氧化物 柔性 电阻 非易失性存储器
【主权项】:
一种基于非晶多元金属氧化物的柔性电阻式非易失性随机存储器,其特征在于:由柔性衬底(1)、金属薄膜底电极(2)、非晶多元金属氧化物薄膜(3)、金属薄膜顶电极(4)依次粘附组成,其中,柔性衬底(1)由高分子聚乙烯对苯二酸脂PET塑料薄片构成、金属薄膜底电极(2)和金属薄膜顶电极(4)由具有延展性的薄层金属材料或金属合金材料构成、可变电阻层(3)为非晶多元金属氧化物薄膜。
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