[发明专利]衬底处理设备和制造半导体器件的方法有效
申请号: | 201110241510.4 | 申请日: | 2011-08-17 |
公开(公告)号: | CN102446796A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 中田高行;谷山智志 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种衬底处理设备,该设备包括:处理室,在处理室中对衬底进行处理;衬底保持器,配置成在保持衬底的同时被加载到处理室中或者从处理室卸载;转移室,在转移室中进行用于促使衬底保持器保持未经处理的衬底的装载操作和用于从衬底保持器取出经处理的衬底的卸除操作;以及清洁单元,配置成用于将清洁空气吹入转移室。转移室具有多边形平面视图形状,并且包括角落区域。清洁单元布置在转移室的角落区域的一个中。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 设备 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底处理设备,包括:处理室,在所述处理室中对衬底进行处理;衬底保持器,配置成在保持所述衬底的同时被加载到所述处理室中或者从所述处理室卸载;转移室,在所述转移室中进行用于促使所述衬底保持器保持未经处理的衬底的装载操作和用于从所述衬底保持器取出经处理的衬底的卸除操作;以及清洁单元,配置成用于将清洁空气吹入所述转移室,其中所述转移室具有多边形平面视图形状,并且所述清洁单元被布置在所述转移室的第一角落区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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