[发明专利]衬底处理设备和制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201110241510.4 申请日: 2011-08-17
公开(公告)号: CN102446796A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 中田高行;谷山智志 申请(专利权)人: 株式会社日立国际电气
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种衬底处理设备,该设备包括:处理室,在处理室中对衬底进行处理;衬底保持器,配置成在保持衬底的同时被加载到处理室中或者从处理室卸载;转移室,在转移室中进行用于促使衬底保持器保持未经处理的衬底的装载操作和用于从衬底保持器取出经处理的衬底的卸除操作;以及清洁单元,配置成用于将清洁空气吹入转移室。转移室具有多边形平面视图形状,并且包括角落区域。清洁单元布置在转移室的角落区域的一个中。
搜索关键词: 衬底 处理 设备 制造 半导体器件 方法
【主权项】:
一种衬底处理设备,包括:处理室,在所述处理室中对衬底进行处理;衬底保持器,配置成在保持所述衬底的同时被加载到所述处理室中或者从所述处理室卸载;转移室,在所述转移室中进行用于促使所述衬底保持器保持未经处理的衬底的装载操作和用于从所述衬底保持器取出经处理的衬底的卸除操作;以及清洁单元,配置成用于将清洁空气吹入所述转移室,其中所述转移室具有多边形平面视图形状,并且所述清洁单元被布置在所述转移室的第一角落区域中。
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