[发明专利]发光二极管与其制造方法无效
| 申请号： | 201110241570.6 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102916099A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈政宏 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管与其制造方法，发光二极管具有基板、N型半导体层、主动层、P型半导体层、电流扩散层与金属电极。P型半导体层中所掺杂的金属离子与氢气经由热处理程序会产生金属氢化物，此金属氢化物会直接形成在P型半导体层的表面以作为电流阻挡层使用。由于金属氢化物直接形成在P型半导体层的表面，所以其结构平整，可以降低电极与焊线剥离的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，具有一基板、一N型半导体层、一主动层、一P型半导体层、一电流扩散层与一第一金属电极，其特征在于，该P型半导体层与该电流扩散层之间具有由该P型半导体层中所掺杂的金属离子与氢键结后所产生的一电流阻挡层以阻挡电流由该电流阻挡层的区域通过。
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