[发明专利]一种氧化物TFT阵列基板及其制造方法和电子器件无效
| 申请号： | 201110241809.X | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102629574A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 袁广才;吴仲远;段立业 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜;王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及TFT制造方法，特别涉及一种氧化物TFT阵列基板及其制造方法和电子器件。本发明在栅极绝缘层上先后连续形成有源层和阻挡层，通过同步连续刻蚀工艺对有源层和阻挡层进行图形化。本发明在没有增加曝光掩膜次数的情况下，减少了在氧化物半导体成膜之后，先进行一次构图工艺使氧化物半导体进行图形化，而后经过剥离，清洗等工艺后再进行阻挡层的沉积等工艺步骤，避免了上述工艺过程中对氧化物半导体薄膜表面及特性的影响。同时本发明所采用同步连续刻蚀的工艺过程可以有效的提高产品的性能和良率，进而减少了研发和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 tft 阵列 及其 制造 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
一种氧化物TFT阵列基板的制造方法，包括步骤：M1、在基板上依次制备栅电极(402a)和栅极绝缘层(403)；M2、制备有源层(404)和阻挡层(405)；M3、形成数据线、电源线和接触孔，并制备像素电极；其特征在于，所述步骤M2包括：S305、在栅极绝缘层(403)上形成有源层氧化物半导体；S306、有源层(404)上形成阻挡层(405)；S307、对有源层(404)和阻挡层(405)进行图形化；S308、对阻挡层(405)进行二次图形化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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