[发明专利]存储卡和半导体器件有效
| 申请号： | 201110241980.0 | 申请日： | 2004-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102354299A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 助川博 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及存储卡和半导体器件。存储卡(1)包括控制器(4)和非易失性半导体存储器(3)。控制器(4)管理第一擦除字组大小的半导体存储器中的第一地址与除第一擦除字组大小之外的第二擦除字组大小的半导体存储器中的第二地址之间的通信。非易失性半导体存储器(3)是第二擦除字组大小的存储器。控制器(4)通过第二地址执行对非易失性半导体存储器(3)的存取。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种存储器系统，包括：非易失性半导体存储器，其包括多个块，每个块具有多个页，其中数据在块的单位中是可擦除的；M个输入/输出端子，用于从/到所述存储器系统的外部输入/输出命令、地址和数据，其中M是大于1的自然数；以及准备好/忙端子，用于将所述存储器系统的内部状态通知所述存储器系统的外部，所述存储器系统被配置为执行如下处理：在一个写入操作中，经由所述M个输入/输出端子俘获具有M位宽度的第一命令，在俘获所述第一命令之后经由所述M个输入/输出端子俘获具有M位宽度的第一地址，在俘获所述第一命令之后经由所述M个输入/输出端子俘获具有M位宽度的数据，以及在俘获所述第一地址之后经由所述M个输入/输出端子俘获具有M位宽度的第二命令，所述第一命令、所述第一地址、所述数据以及所述第二命令被从所述存储器系统的外部提供，将所述第一地址转换为第二地址，并利用所述第二地址访问所述非易失性半导体存储器，以及将所述数据写入所述非易失性半导体存储器，而保证通过多个写入操作经由所述M个输入/输出端子俘获的多个数据项目被存储在一页中，所述多个数据项目被从所述存储器系统的外部提供。
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