[发明专利]一种非密堆SiO2光子晶体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110242654.1 申请日: 2011-08-23
公开(公告)号: CN102417309A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 伍媛婷;王秀峰 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C03C17/23 分类号: C03C17/23;C04B41/50
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 刘国智
地址: 710021 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种非密堆SiO2光子晶体的制备方法,先以正硅酸乙酯为原料制备SiO2纳米和亚微米球体颗粒,利用一定粒径比的两种SiO2球体颗粒经超声、自组装后获得双尺寸光子晶体结构,再将双尺寸光子晶体结构经煅烧、刻蚀、清洗后即获得非密堆SiO2光子晶体,本发明方法制备周期短,工艺设备简单。
搜索关键词: 一种 非密堆 sio sub 光子 晶体 制备 方法
【主权项】:
一种非密堆SiO2光子晶体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,以正硅酸乙酯为原料制备SiO2纳米或亚微米球;第二步,将所制备的粒径比为大球∶小球=5~8∶1的两种SiO2球体颗粒按质量比为大球∶小球=5~10∶1分别进行称取,分别将两种SiO2球体颗粒超声分散于溶剂中,其中两种SiO2球体颗粒悬浮液的质量分数相等且两种SiO2球体颗粒均占其悬浮液总质量的0.8%~2%,超声时间为2~3h,然后将两悬浮液混合,继续超声分散2~3h,得混合悬浮液;第三步,将基底垂直浸入已放置平稳的混合悬浮液中,在抽真空中40℃、60%相对湿度下静置,待溶液完全蒸发后,在基底表面生长出一层双尺寸SiO2光子晶体;第四步,将双尺寸SiO2光子晶体在500~700℃下煅烧4~6h,将煅烧后的双尺寸SiO2光子晶体浸入质量浓度为1%~2%的HF酸溶液中刻蚀10~15min,然后在去离子水中清洗除去多余的HF酸溶液,在50~60℃下烘干即得非密堆SiO2光子晶体。
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