[发明专利]半导体器件

摘要

提供了一种具有电阻值的温度依赖性小的电阻元件的半导体器件。半导体器件具有金属电阻元件层。金属电阻元件层包括电阻膜层。另一金属电阻元件层包括另一金属电阻膜层。金属电阻膜层为氮化钛电阻与氮化钽电阻中的一个。另一金属电阻膜层为氮化钛电阻与氮化钽电阻中的另一个。氮化钛电阻的电阻值具有正温度系数。而氮化钽电阻的电阻值具有负温度系数。接触插塞将金属电阻膜层与另一金属电阻膜层电耦合。因此，氮化钛电阻的温度系数与氮化钽电阻的温度系数可以彼此抵消。这可以减小温度系数。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；提供在所述半导体衬底之上的绝缘层；提供在所述绝缘层之上的第一电阻元件；以及与所述第一电阻元件电耦合的第二电阻元件，其中所述第一电阻元件和所述第二电阻元件中的一个由氮化钛形成，并且其中第一电阻元件和所述第二电阻元件中的另一个由氮化钽形成。