[发明专利]化学气相沉积SiC/C梯度表面涂层提高石墨电极抗氧化性的方法有效
申请号: | 201110242849.6 | 申请日: | 2011-08-23 |
公开(公告)号: | CN102277560A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 徐锋;廖志钦;杨晓智;刘明 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学;南通扬子碳素股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/32;H05B7/085;C04B41/89 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 唐代盛 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种化学气相沉积SiC/C梯度表面涂层提高石墨电极抗氧化性的方法,对石墨电极进行表面预处理;将表面预处理后的石墨电极固定在化学气相沉积设备水冷式反应炉内的支架上,炉内抽真空;加热反应炉中的石墨电极,通入CH4气体,在石墨电极表面形成一层热解碳;保持腔体温度不变,通入载体气H2,经由沸腾的SiCl4液体,载体气H2带出的SiCl4气体在石墨电极表面与CH4气体反应并沉积;沉积结束后,保持腔体温度不变,保持H2气氛,将石墨电极在炉内原位热处理,热处理结束后将石墨电极随炉冷却至室温,得到具有SiC/C梯度功能表面保护层的石墨电极。本发明具有更好的渗透性,能够渗入石墨电极基体表面任何细微的孔隙,对于表面空隙的抗氧化,具有良好的效果。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 sic 梯度 表面 涂层 提高 石墨电极 氧化 方法 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积SiC/C梯度表面涂层提高石墨电极抗氧化性的方法,其特征在于步骤如下:步骤1,对石墨电极进行表面预处理,包括表面抛光、清洗和干燥;步骤2,将表面预处理后的石墨电极固定在化学气相沉积设备水冷式反应炉内的支架上,炉内抽真空;步骤3,加热反应炉中的石墨电极,通入CH4气体,在石墨电极表面形成一层热解碳;步骤4,保持腔体温度不变,通入载体气H2,经由沸腾的SiCl4液体,载体气H2带出的SiCl4气体在石墨电极表面与CH4气体反应并沉积;步骤5,沉积结束后,保持腔体温度不变,保持H2气氛,将石墨电极在炉内原位热处理,热处理结束后将石墨电极随炉冷却至室温,得到具有SiC/C梯度功能表面保护层的石墨电极。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的