[发明专利]LDO输出过压保护电路及使用该保护电路的LDO有效
| 申请号： | 201110243553.6 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102290806A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王东旺;孙丰军;王帅旗 | 申请（专利权）人： | 北京经纬恒润科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100101 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LDO输出过压保护电路，包括：脉冲产生电路和关断电路，该脉冲产生电路输入端与负载关断信号端口SLEEP连接，该关断电路用于在接收到脉冲产生电路产生的窄脉冲信号时将PMOS管P2关断。相应的，本发明还提供一种使用该保护电路的LDO，包括PMOS管P2，还包括脉冲产生电路和关断电路。当窄脉冲消失时，PMOS管P2的栅极电压会慢慢降低到LDO正常工作状态，从而有效避免了LDO的输出过压现象。本发明通过采用脉冲产生电路和关断电路的结构，电路结构简单，成本低廉，可以大大降低负载突变时引起的LDO输出过压问题。 | ||
| 搜索关键词： | ldo 输出 保护 电路 使用 | ||
【主权项】：
一种低压差线性稳压器输出过压保护电路，其特征在于，包括：脉冲产生电路，其输入端与负载关断信号端口SLEEP连接，用于根据所述负载关断信号端口SLEEP的信号，产生窄脉冲信号；关断电路，用于在接收到所述脉冲产生电路产生的窄脉冲信号时将PMOS管P2关断。
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