[发明专利]抛光硫族合金的方法无效
| 申请号： | 201110243557.4 | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102310362A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 具滋澔;刘振东;K·沙旺特;K-A·K·雷迪 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;C09G1/02;C09K3/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 抛光硫族合金的方法，本发明提供了一种用于化学机械抛光基底的方法。本发明包括提供一其中包括硫族相变合金的基底和提供一化学机械抛光组合物，其中该化学抛光组合物包括，按重量百分比计，水、0.1-30的研磨剂、至少一种抛光剂，抛光剂选自0.05-5的卤素化合物、0.05-5的邻苯二甲酸、0.05-5的邻苯二甲酸酐及其盐、衍生物和其混合物，其中该化学机械抛光组合物的pH为2-小于7。一化学机械抛光垫以该化学机械抛光垫和该化学机械抛光组合物抛光基底，达到从基底选择性地或非选择性地去除硫族相变合金。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 合金 方法 | ||
【主权项】：
一种用于化学机械抛光基底的方法，所述方法包括：提供基底，其中所述基底包括硫族相变合金；提供化学机械抛光组合物，其中按重量百分比计，所述化学机械抛光组合物包括水、0.1‑30的研磨剂、至少一种抛光剂，所述抛光剂选自0.05‑5的卤素化合物、0.05‑5的邻苯二甲酸、0.05‑5的邻苯二甲酸酐及其盐、衍生物以及其混合物，其中所述化学机械抛光组合物的pH是2到小于7；提供化学机械抛光垫；以及用该化学机械抛光垫和该化学机械抛光组合物抛光所述基底，以选择性地或非选择性地从基底上除去硫族相变合金。
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