[发明专利]一种双向双通道的瞬态电压抑制器

摘要

本发明公开了一种双向双通道的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层，P+衬底层上从左到右依次设有第一N+埋层、第一P-外延区、第二P-外延区、第三P-外延区、第二N+埋层；第一N+埋层和第二N+埋层上分别设有第一N注入区和第二N注入区；第一P-外延区和第三P-外延区上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；第一N注入区、第二P-外延区和第二N注入区上分别设有第一P+有源注入区、第二P+有源注入区和第三P+有源注入区。本发明通过采用齐纳稳压管与低电容二极管的组合结构，进一步降低了TVS的寄生电容，减小了导通电阻，提高了TVS的钳位特性，可广泛应用于一些便携式设备和高速接口的静电防护上。

主权项

一种双向双通道的瞬态电压抑制器，其特征在于：包括P+衬底层，所述的P+衬底层上从左到右依次设有第一隔离槽、第一N+埋层、第二隔离槽、第一P 外延区、第三隔离槽、第二P 外延区、第四隔离槽、第三P 外延区、第五隔离槽、第二N+埋层、第六隔离槽；所述的第一N+埋层和第二N+埋层上分别设有第一N注入区和第二N注入区；所述的第一P 外延区和第三P 外延区上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一N注入区、第二P 外延区和第二N注入区上分别设有第一P+有源注入区、第二P+有源注入区和第三P+有源注入区；所述的第一P+有源注入区和第一N+有源注入区通过第一金属电极相连；所述的第三P+有源注入区和第二N+有源注入区通过第二金属电极相连；所述的第二P+有源注入区与接地电极相连。