[发明专利]发光二极管结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管结构及其制造方法，包括：基板、第一半导体层、发光层及一第二半导体层，其中第二半导体层、发光层及第一半导体层依序堆栈于基板上，第一半导体层包含一第一层及一第二层，第一层的导电性较第二层高；第一接触电极，位于第一半导体层与基板之间，并具有一突出部分延伸至此第二半导体层中；阻障层，顺应性覆盖于第一接触电极上，但暴露出此突出部分的顶部；及第二接触电极，位于第一半导体层及第一接触电极之间，与第二半导体层直接接触，且藉由阻障层与第一接触电极电性隔离。

主权项

一种发光二极管结构，包括：一基板，其上具有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层，其中该发光层及该第一半导体层依序堆栈于该第二半导体层上，且该第一及该第二半导体层具有相反的导电型态，且其中该第一半导体层包含一第一层及一第二层，该第一层的导电性较该第二层高；一第一接触电极，位于第二半导体层与该基板之间，并具有一突出部分延伸至该第一半导体层中；一阻障层，顺应性覆盖于该第一接触电极上，但暴露出该突出部分的顶部；以及一第二接触电极，位于该第二半导体层及该第一接触电极之间，与第二半导体层直接接触，且藉由阻障层与该第一接触电极电性隔离。