[发明专利]晶圆的形成方法有效
| 申请号： | 201110247635.8 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102263028A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王硕;许忠义 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种晶圆的形成方法，包括：提供晶舟，将多片晶圆放置在所述晶舟上；将放置有所述晶圆的晶舟放置到退火装置内；动态地调整所述退火装置的升温速率，在达到退火温度后对所述晶圆进行退火处理。采用本发明实施例的方法，形成的晶圆的质量好，不易产生变形，且晶圆内部的晶格不易发生滑移或错位。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆的形成方法，其特征在于，包括：提供晶舟，将多片晶圆放置在所述晶舟上；将放置有所述晶圆的晶舟放置到退火装置内；动态地调整所述退火装置的升温速率，在达到退火温度后对所述晶圆进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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