[发明专利]半导体结构及其制作方法、MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110247740.1 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102956492A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新;刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极侧壁形成有偏移侧墙，所述偏移侧墙包括与栅极侧壁接触的第一氧化硅层和位于第一氧化硅层外侧的第一氮化硅层；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙包括位于第一氮化硅层外侧的第二氧化硅层和位于第二氧化硅层外侧的第二氮化硅层；利用第一刻蚀溶液刻蚀去除所述主侧墙的第二氮化硅层；利用第二刻蚀溶液刻蚀去除部分厚度的第一氮化硅层；利用第三刻蚀溶液去除所述主侧墙的第二氧化硅层；在半导体衬底、栅极、偏移侧墙上形成应力层。本发明方法增加了晶体管沟道区的应力，提高了载流子的迁移率，增强了晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极侧壁形成有偏移侧墙，所述偏移侧墙包括与栅极侧壁接触的第一氧化硅层和位于第一氧化硅层外侧的第一氮化硅层；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙包括位于第一氮化硅层外侧的第二氧化硅层和位于第二氧化硅层外侧的第二氮化硅层；利用第一刻蚀溶液刻蚀去除所述主侧墙的第二氮化硅层；利用第二刻蚀溶液刻蚀去除部分厚度的第一氮化硅层；利用第三刻蚀溶液去除所述主侧墙的第二氧化硅层；在半导体衬底、栅极、偏移侧墙上形成应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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