[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置无效
| 申请号： | 201110247820.7 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102637636A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张学辉;薛建设;刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L51/40;H01L27/28;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;姜精斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置，属于液晶显示领域。该有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：通过第一次构图工艺在透明基板上形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；通过第二次构图工艺在经过所述第一次构图工艺的透明基板上形成包括有机半导体图案、栅绝缘层图案、栅电极和栅线的图形；在经过所述第二次构图工艺的透明基板上沉积钝化层，通过第三次构图形成包括数据线接口、栅线接口和像素接口的图形；通过第四次构图工艺在经过所述第三次构图工艺的透明基板上形成公共电极的图形。本发明的技术方案能够提高有机薄膜晶体管阵列基板的生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：通过第一次构图工艺在透明基板上形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；通过第二次构图工艺在经过所述第一次构图工艺的透明基板上形成包括有机半导体图案、栅绝缘层图案、栅电极和栅线的图形；在经过所述第二次构图工艺的透明基板上沉积钝化层，通过第三次构图形成包括数据线接口、栅线接口和像素接口的图形；通过第四次构图工艺在经过所述第三次构图工艺的透明基板上形成公共电极的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
