[发明专利]Ⅲ-Ⅴ族晶圆可重复进行磊晶制程的方法与构造无效
| 申请号： | 201110248176.5 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102956762A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 郑朝元;戴言培 | 申请（专利权）人： | 郑朝元;戴言培 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 刘淑敏 |
| 地址： | 中国台湾嘉义县义*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ⅲ-Ⅴ族晶圆可重复进行磊晶制程的方法与构造，依照该方法，进行第一次磊晶制程，使一磊晶结构形成于Ⅲ-Ⅴ族晶圆的正面上，其中磊晶结构包含一镭射吸收层与一组件作动层。压贴一转换基板于磊晶结构上。由该背面照射一具有特定波长的镭射光，以使该Ⅲ-Ⅴ族晶圆相对于镭射光为透明并以镭射吸收层吸收镭射光而分解。最后能剥离出Ⅲ-Ⅴ族晶圆，使其与已结合上该组件作动层的转换基板相分离。藉此，完整剥离出Ⅲ-Ⅴ族晶圆，使Ⅲ-Ⅴ族晶圆能进行第二次以上的磊晶制程的重复使用，进而降低基材成本。 | ||
| 搜索关键词： | 族晶圆可 重复 进行 磊晶制程 方法 构造 | ||
【主权项】：
一种III‑V族晶圆可重复进行磊晶制程的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：提供一III‑V族晶圆，具有一正面与一背面；进行第一次磊晶制程，使磊晶结构形成于该正面上，其中该磊晶结构包含镭射吸收层与组件作动层；压贴转换基板于该磊晶结构上；由该背面照射一镭射光，其中该镭射光为具有一特定波长，以使该III‑V族晶圆相对于该镭射光为透明并以该镭射吸收层吸收该镭射光而分解；以及剥离出该III‑V族晶圆，使其与已结合上该组件作动层的该转换基板相分离。
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