[发明专利]用于制备薄层的方法和系统无效

专利信息
申请号: 201110249516.6 申请日: 2011-07-06
公开(公告)号: CN102374944A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: D·伯格斯拉夫斯基;C·史密斯 申请(专利权)人: 卡姆特有限公司
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 王朝辉
地址: 以色列米格*** 国省代码: 以色列;IL
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摘要: 发明涉及一种用于制备薄层的系统和方法。该方法可以包括通过操作器对准掩模和样品。将掩模和样品定位于离子减薄机前同时不改变掩模和样品之间的空间关系。研磨样品的第一暴露部分直到暴露薄层的第一侧壁。将掩模和样品定位于离子减薄机前使得掩模覆盖样品的第二被掩模部分通过离子减薄机研磨样品的第二暴露部分直到暴露薄层的第二侧壁。通过离子减薄机去除薄层的两个侧面的物质;和从样品中分离薄层。
搜索关键词: 用于 制备 薄层 方法 系统
【主权项】:
一种用于制备薄层的方法,所述方法包括:通过操纵器接纳掩模和样品;通过操纵器将掩模和样品定位于成像装置前使得掩模和样品表面面向成像装置;通过操纵器对准掩模和样品使得掩模覆盖样品的第一被掩模部分同时保持样品的第一暴露部分不被覆盖;其中对准包括通过成像装置获取掩模和样品的表面的图像;通过所述操纵器将掩模和样品定位于离子减薄机前使得掩模和样品的表面面向离子减薄机,同时不改变掩模和样品之间的空间关系;通过离子减薄机研磨样品的第一暴露部分直到暴露薄层的第一侧壁,同时用掩模覆盖第一被掩模部分;通过操纵器将掩模和样品定位于离子减薄机前使得掩模覆盖样品的第二被掩模部分同时保持样品的第二暴露部分不被覆盖;其中第二被掩模部分包括在研磨样品的第一暴露部分期间所形成的空间和薄层;通过离子减薄机研磨样品的第二暴露部分直到暴露薄层的第二侧壁以提供包括第一和第二侧壁的薄层,同时用掩模覆盖第二被掩模部分;通过离子减薄机去除薄层的两个侧面的物质;以及从样品中分离薄层。
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