[发明专利]一种非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法有效
| 申请号： | 201110250842.9 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102298971A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 徐跃;闫锋;濮林;纪晓丽 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；2）存储单元的阈值电压调整到预定值-2V～-1V，以这个预定值为多值存储的初始状态，对局部俘获存储单元进行多值存储的编程操作；3）通过改变栅极或漏极的编程电压，或者改变栅极或漏极编程时间，实现8种以上的编程状态。本发明有高的存储密度：多值存储单元总的编程窗口大。每个编程状态允许的阈值电压分布宽。不同编程状态所对应的阈值电压分布不会出现交叠及良好的编程/擦除的耐受力和保持性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 挥发性 闪存 高密度 存储 操作方法 | ||
【主权项】：
非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，其特征是对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）、首先将局部俘获型存储单元从阈值电压为2V～3V初始状态擦除到阈值电压‑2V～‑1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同，且存储位的存储层中存储的电荷沿着沟道均匀的分布；2）、存储单元的阈值电压调整到预定值‑2V～‑1V，以这个预定值为多值存储的初始状态，对局部俘获存储单元进行多值存储的编程操作；采用衬底正偏压抑制第二代热电子注入的CHE编程方法，或者采用脉冲激发的衬底热电子注入（PASHEI）的编程方法实现电荷局部的存储；3）通过改变栅极或漏极的编程电压，或者改变栅极或漏极编程时间，实现8种以上的编程状态，将器件阈值电压分为8个以上的区间。
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