[发明专利]一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法

摘要

本发明公开了属于微电子技术领域的一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法。本发明采用(100)或(111)硅片，利用丙酮、CP4-A溶液和氢氟酸常温预处理得到清洁的硅表面。配制硝酸银、双氧水、氢氟酸均匀混合的减薄液并放入水浴中预热，把硅片浸入减薄液，通过控制反应时间、温度与溶液配比可获得所需厚度的超薄硅片。本发明首次利用金属纳米粒子催化特性进行硅片均匀腐蚀，利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得厚度小于50μm的超薄硅片，拓宽了金属纳米粒子催化硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供新的思路和技术手段。

主权项

一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：a.硅片预处理：将硅片清洗并真空干燥，得到清洁的硅表面；b.减薄液配制：配制硝酸银、双氧水和氢氟酸的混合溶液作为减薄液，所述减薄液中：溶剂为水，硝酸银浓度为0.01～0.05mol/L，HF浓度为3.5～6mol/L，H2O2浓度为3～6mol/L，将配制好的减薄液放入水浴中；c.硅片减薄：把预处理后的硅片浸入减薄液中，减薄完成后，将硅片用去离子水或超纯水冲洗；d.去除硅片表面残余银；e.将硅片真空干燥。