[发明专利]一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备无效
申请号: | 201110251967.3 | 申请日: | 2011-07-29 |
公开(公告)号: | CN102903787A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 刘莹 | 申请(专利权)人: | 刘莹 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214213 江苏省宜兴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备。设备包括连续式真空室、气路控制系统、电控系统、加热系统、镀膜系统、激光系统、抽气系统。其中真空室1为进片室,真空室2为缓冲室,真空室3为溅射镀铝膜室,真空室4为缓冲室,真空室5为激光掺杂室,真空室6为激光烧结室,真空室7为缓冲室,真空室8为出片室,进出片室装有可手动开关的真空门,同时可翻转进出片,缓冲室、镀膜室、激光掺杂室及激光烧结室设有预热系统。真空室之间以高真空阀门相联接,并具有可独立无级调速的传动系统。真空机组由机械泵组、废气处理装置、阀门及管道系统等组成。电控系统的PLC控制器控制气体的压强、加热温度、传动系统。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 肖特基结 单面 电极 太阳能电池 设备 | ||
【主权项】:
一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备,包括连续式真空室、气路控制系统,电控系统、真空抽气系统、镀膜系统、激光系统等,其特征在于镀膜系统采用溅射镀膜方式,用以在晶体硅表面均均布置铝电极材料;激光掺杂室中激光系统位于真空室上方,可对真空室内晶体硅表面的电极进行选择性加热使其渗入晶体硅片中形成肖特基结;激光系统位于激光烧结真空室正上方,可对真空室内的晶体硅表面的电极材料加热使其烧结成型;分段可独立无级调速的传动系统,适应各段工艺不同的传送速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的