[发明专利]形成接触窗的方法无效
申请号: | 201110252571.0 | 申请日: | 2011-08-30 |
公开(公告)号: | CN102270606A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 陆文正;姚洋羽 | 申请(专利权)人: | 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;H01L21/311 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种形成接触窗的方法,用于一晶体管数组基板,其具有多个第一接触垫、多个位在第一接触垫上方的第二接触垫、一覆盖第一接触垫的第一绝缘层及一覆盖第二接触垫的第二绝缘层。在此方法中,首先,在第二绝缘层上形成一具有多个凹槽与多个第一开口的光阻图案层。第一开口局部暴露第二绝缘层。接着,移除位在第一开口内的部分第一绝缘层与部分第二绝缘层,以暴露第一接触垫。接着,减少光阻图案层的厚度,以使凹槽形成局部暴露第二绝缘层的第二开口。之后,移除位在第二开口内的部分第二绝缘层,以暴露第二接触垫。本发明能降低发生过蚀刻的可能性,从而减少晶体管数组基板的制造成本。 | ||
搜索关键词: | 形成 接触 方法 | ||
【主权项】:
在该第二绝缘层上形成一光阻图案层,其中该光阻图案层具有多个凹槽与多个第一开口,该些第一开口局部暴露该第二绝缘层,而该些凹槽未暴露该第二绝缘层,该些第一开口分别位在该些第一接触垫的正上方,而该些凹槽分别位在该些第二接触垫的正上方;以该光阻图案层为屏蔽,移除位在该些第一开口内的部分该第二绝缘层与部分该第一绝缘层,以暴露该些第一接触垫;减少该光阻图案层的厚度,以使该些凹槽形成多个第二开口,其中该些第二开口局部暴露该第二绝缘层;以及以厚度减少后的该光阻图案层为屏蔽,移除位在该些第二开口内的部分该第二绝缘层,以暴露该些第二接触垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造