[发明专利]半导体装置和制造方法

摘要

本发明公开一种半导体装置和制造方法，该半导体装置具有第一和第二互连结构，分别位于一阵列的第一列和第二列。第一和第二互连结构分别具有一参考电位节点，以及第一、第二、第三和第四导体，彼此耦接，并分别位于第一层、第二层、第三层、第四层之上，且位于一基板之上，该基板具有多个装置以界定多个位元单元。第一和第二互连结构的参考电位节点各自提供分开的一参考电位给对应于所属互连结构的上述位元单元之一者。第一导体、第二导体、第三导体和第四导体之中，无任何一者电性连接到另一个互连结构的对应导体，而第二层在第一层之上，第三层在第二层之上，第四层在第三层之上。本发明实施例能够减少存储器单元的漏电。

主权项

一种半导体装置，包括：一第一互连结构和一第二互连结构，分别位于一阵列的一第一列和一第二列之中，上述阵列具有至少一行和至少二列，上述第一互连结构和上述第二互连结构位于一第一行中，而上述第一互连结构和上述第二互连结构分别包括：一第一参考电位节点；以及一第一导体、一第二导体、一第三导体、一第四导体，彼此耦接，且分别位于一第一层、一第二层、一第三层、一第四层之上，也位于一基板之上，上述基板具有多个装置以界定多个位元单元，上述第一参考电位节点各自提供分开的一参考电位，给对应于所属的上述第一互连结构或上述第二互连结构之一的上述位元单元中之一，上述第一导体、上述第二导体、上述第三导体和上述第四导体之中，无任何一个电性连接到另一个互连结构的对应导体；其中，上述第二层在上述第一层之上，上述第三层在上述第二层之上，上述第四层在上述第三层之上。