[发明专利]包括内部互连结构的半导体装置有效
| 申请号： | 201110254077.8 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102468270A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 徐铉哲;李承烨 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请公开了一种包括内部互连结构的半导体装置，该半导体装置包括半导体芯片和内部互连结构。该半导体芯片包括前表面和与前表面相反的后表面，前表面暴露第一连接，后表面暴露与第一连接端分离的第二连接端。该内部互连结构包括水平埋置导线和竖直连接线，其设置为穿过半导体芯片从而连接第一连接端和第二连接端。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 内部 互连 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体芯片，包括前表面和与该前表面相反的后表面，该前表面具有电路元件和集成在该前表面上的互连；第一埋置导线，与该半导体芯片的该前表面在垂直方向上分离；第一导电通路，从该半导体芯片的该前表面穿过而连接到该第一埋置导线；以及第二导电通路，从该后表面穿过该半导体芯片而连接到该第一埋置导线。
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