[发明专利]一种双掺铌酸锂晶体及其制备方法无效
申请号: | 201110254129.1 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102321918A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 王彪;王云华 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B15/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 禹小明;林伟斌 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及光电晶体技术领域,尤涉及一种双掺铌酸锂晶体,其组成为:SmxMy(Li0.946NbO3)100-x-y,其中,M为Mg、Zn中的一种,0.15≤x≤0.3,当M为Mg时,5≤y≤8;当M为Zn时,6≤y≤7。本发明双掺铌酸锂晶体,稀土离子钐Sm以掺杂抗光折变离子Mg或Zn铌酸锂为基质,不仅具有高抗光损伤能力,还可以实现短波长的橙红光输出,在紫外光激发下,Sm直接以下转换方式实现606nm和613nm的位于可见光波段的橙红光输出,实现高功率输出橙红可见光。本发明还涉及一种双掺铌酸锂晶体的制备方法,制备出高质量双掺铌酸锂晶体,无宏观缺陷,无明显生长条纹,掺杂离子分布较均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 双掺铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种双掺铌酸锂晶体,其特征在于,组成为:SmxMy(Li0.946NbO3)100‑x‑y,其中,M为Mg、Zn中的一种,0.15≤x≤0.3,当M为Mg时,5≤y≤8;当M为Zn时,6≤y≤7。
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