[发明专利]一种双掺铌酸锂晶体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110254129.1 申请日: 2011-08-31
公开(公告)号: CN102321918A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 王彪;王云华 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B15/00
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 禹小明;林伟斌
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及光电晶体技术领域,尤涉及一种双掺铌酸锂晶体,其组成为:SmxMy(Li0.946NbO3)100-x-y,其中,M为Mg、Zn中的一种,0.15≤x≤0.3,当M为Mg时,5≤y≤8;当M为Zn时,6≤y≤7。本发明双掺铌酸锂晶体,稀土离子钐Sm以掺杂抗光折变离子Mg或Zn铌酸锂为基质,不仅具有高抗光损伤能力,还可以实现短波长的橙红光输出,在紫外光激发下,Sm直接以下转换方式实现606nm和613nm的位于可见光波段的橙红光输出,实现高功率输出橙红可见光。本发明还涉及一种双掺铌酸锂晶体的制备方法,制备出高质量双掺铌酸锂晶体,无宏观缺陷,无明显生长条纹,掺杂离子分布较均匀。
搜索关键词: 一种 双掺铌酸锂 晶体 及其 制备 方法
【主权项】:
一种双掺铌酸锂晶体,其特征在于,组成为:SmxMy(Li0.946NbO3)100‑x‑y,其中,M为Mg、Zn中的一种,0.15≤x≤0.3,当M为Mg时,5≤y≤8;当M为Zn时,6≤y≤7。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110254129.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top