[发明专利]单晶生长炉压力释放装置有效
| 申请号： | 201110254256.1 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102953120A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 吕立强 | 申请（专利权）人： | 上海朗兆机电设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 缪利明 |
| 地址： | 200235 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶生长炉压力释放装置，包括：密封底座；真空管道，所述真空管道设置在所述密封底座上；复位装置，所述复位装置与所述密封底座垂直连接。本发明单晶生长炉压力释放装置通过自动调节，使炉内压力稳定，从而防止因炉内压力过高而导致的不正常循环和爆炸等不稳定状态。并且此机械密封装置密封性好，磨损小，结构简单，可长期重复使用，并且整个过程无需人工操作，自动完成。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 压力 释放 装置 | ||
【主权项】：
单晶生长炉压力释放装置，其特征在于，包括：密封底座；真空管道，所述真空管道设置在所述密封底座上；复位装置，所述复位装置与所述密封底座垂直连接。
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