[发明专利]电介质陶瓷组合物和陶瓷电子部件有效

专利信息
申请号: 201110254346.0 申请日: 2011-08-31
公开(公告)号: CN102381876A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 村川喜堂;中野幸惠;大槻史朗 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/465;C04B35/47;C04B35/49;C04B35/622;H01G4/008;H01G4/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孙秀武;郭文洁
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 电介质陶瓷组合物,其含有以ABO3(A是Ba单独,或者是Ba与选自Ca和Sr的至少1种,B是Ti单独,或者是Ti与Zr)表示、并具有钙钛矿型结晶结构的化合物、和含有Sc和Y的稀土类元素的氧化物。该电介质陶瓷组合物含有具有核壳结构的电介质粒子,所述核壳结构包含核和至少含有R元素的壳,在壳中,R元素的含有比例最大的区域是核与壳的边界区域。
搜索关键词: 电介质 陶瓷 组合 电子 部件
【主权项】:
电介质陶瓷组合物,其含有以通式ABO3表示、并具有钙钛矿型结晶结构的化合物和R元素的氧化物,上述A是Ba单独,或者是Ba与选自Ca和Sr的至少1种,上述B是Ti单独,或者是Ti与Zr,上述R元素是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少1种,其特征在于,上述电介质陶瓷组合物含有具有核壳结构的电介质粒子,所述核壳结构包含核和存在于上述核的周围、并至少含有上述R元素的壳,在上述壳中,上述R元素的含有比例最大的区域是上述核与上述壳的边界区域。
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