[发明专利]一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管无效
| 申请号： | 201110254377.6 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102280547A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘宝林;曾凡明;刘威 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森;曾权 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，涉及一种半导体发光管。从下至上依次设有衬底层、缓冲层、N型层、有源区、P型层、P金属电极和N金属电极；所述P金属电极连接P型层，N金属电极连接N型层，所述有源区被夹在P型层与N型层之间，所述有源区由包含最少2个层叠周期的势垒层和势阱层重复交替层叠而成，每1个层叠周期包含一层势垒层和一层势阱层，所述势垒层掺入P型掺杂剂。通过引入含P型掺杂剂的势垒层，提高器件有源区的发光效率，优化了器件的光电性能，达到提高氮化镓系化合物半导体发光器件的发光效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 氮化 半导体 发光 | ||
【主权项】：
一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管，其特征在于从下至上依次设有衬底层、缓冲层、N型层、有源区、P型层、P金属电极和N金属电极；所述P金属电极连接P型层，N金属电极连接N型层，所述有源区被夹在P型层与N型层之间，所述有源区由包含最少2个层叠周期的势垒层和势阱层重复交替层叠而成，每1个层叠周期包含一层势垒层和一层势阱层，所述势垒层掺入P型掺杂剂。
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