[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201110254450.X | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623494A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;吉冈启;斋藤涉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体装置，具备第一半导体层、第二半导体层、GaN的第三半导体层、第四半导体层、第一电极、第二电极和第三电极。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层在第一半导体层上设置，具有第一半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第三半导体层在第二半导体层上设置。第四半导体层在第三半导体层上设置成在一部分具有间隙，具有第二半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第一电极在第三半导体层上设置于没有设置第四半导体层的部分。第二电极在第四半导体层上设置于第一电极的一侧，与第四半导体层欧姆接合。第三电极在第四半导体层上设置于第一电极的另一侧，与第四半导体层欧姆接合。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体装置，其特征在于，具备：第一半导体层，包括氮化物半导体；第二半导体层，在上述第一半导体层之上设置，具有上述第一半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，且包括氮化物半导体；GaN的第三半导体层，在上述第二半导体层之上设置；第四半导体层，在上述第三半导体层之上设置成在一部分具有间隙，具有上述第二半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，且包括氮化物半导体；第一电极，在上述第三半导体层之上设置于没有设置上述第四半导体层的部分；第二电极，在上述第四半导体层之上设置于上述第一电极的一侧，且与上述第四半导体层欧姆接合；和第三电极，在上述第四半导体层之上设置于上述第一电极的另一侧，且与上述第四半导体层欧姆接合。
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