[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
申请号: | 201110254528.8 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102385926A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 具旼奎 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/12 | 分类号: | G11C16/12 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种存储器件包括:模块开关,所述模块开关用于响应于模块选择信号的电压电平来将供应给全局线的操作电压传送至与存储器单元阵列相耦接的局部线;以及负电压传送电路,所述负电压传送电路用于传输负电压作为模块选择信号以在当操作电压具有负电平时将全局线与局部线耦接,而在当模块选择信号被禁止时使全局线与局部线断开。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
一种存储器件,包括:模块开关,所述模块开关用于响应于模块选择信号来从全局线向与存储器单元阵列相连接的局部线传送第一电压;以及负电压传送电路,所述负电压传送电路被配置为将所述模块选择信号使能为负电压,其中,当所述第一电压处于负电平时,所述模块开关操作以将所述全局线与所述局部线相连接以传送信号,以及当所述模块选择信号被禁止时,所述模块开关操作以使所述全局线与所述局部线断开。
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