[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201110254704.8 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102386164A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 右田达夫;江泽弘和;山下创一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置焊盘电极、保护膜、基底阻挡金属膜和电极布线部。焊盘电极在半导体基板形成。保护膜以使所述焊盘电极的表面露出的方式在所述半导体基板上形成。基底阻挡金属膜在所述焊盘电极及所述保护膜上形成。电极布线部隔着所述基底阻挡金属膜在所述焊盘电极上形成。另外，所述基底阻挡金属膜的表面反射率在波长800nm中为30％以上，所述电极布线部的直径为140μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：在半导体基板形成的焊盘电极；以使所述焊盘电极的表面露出的方式在所述半导体基板上形成的保护膜；在所述焊盘电极及所述保护膜上形成的基底阻挡金属膜；隔着所述基底阻挡金属膜在所述焊盘电极上形成的电极布线部，所述基底阻挡金属膜的表面反射率在波长800nm中为30％以上，所述电极布线部的直径为140μm以下。
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