[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110254740.4 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102412239A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 井上谕;神田和重;清水有威 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/525;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法，半导体器件具备：将多个半导体芯片层叠而构成的层叠芯片；和在上述多个半导体芯片上分别设置并且使不良的半导体芯片不激活的多个不激活电路，上述多个半导体芯片分别具有多个半导体基板和在上述多个半导体基板内形成的多个贯通电极，上述多个贯通电极被电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：将多个半导体芯片层叠而构成的层叠芯片；和在上述多个半导体芯片上分别设置并且使不良的半导体芯片不激活的多个不激活电路，上述多个半导体芯片分别具有多个半导体基板和在上述多个半导体基板内形成的多个贯通电极，上述多个贯通电极被电连接。
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