[发明专利]一种半导体结构及其形成方法，一种晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110255740.6 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102969247A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 吴金刚;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构形成方法，以及一种晶体管及其形成方法，本发明所提供的晶体管形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，以及位于所述栅极结构两侧的第一凹槽，所述第一凹槽的底部材料和侧壁材料为结晶态；将所述第一凹槽的底部材料由结晶态转变为无定形态；所述第一凹槽的底部材料转变为无定形态后，对所述第一凹槽进行湿法刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露所述为无定形态的底部材料；形成所述第二凹槽后，去除所述为无定形态的底部材料，形成位于第二凹槽底部的第三凹槽；在所述第二凹槽和第三凹槽内形成硅锗层，并对所述硅锗层掺杂，形成源、漏极。通过本发明有利于提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一凹槽，所述第一凹槽底部材料和侧壁材料为结晶态；将所述第一凹槽底部的材料由结晶态转变为无定形态；所述第一凹槽底部的材料转变为无定形态后，对所述第一凹槽进行湿法刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露所述为无定形态的底部材料；形成所述第二凹槽后，去除所述为无定形态的底部材料，形成位于第二凹槽底部的第三凹槽；形成填充满所述第二凹槽和第三凹槽的填充层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
