[发明专利]减少水痕缺陷的晶片清洗方法及半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 201110255768.X | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102969221A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 徐友峰;毛智彪 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C11D10/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少水痕缺陷的晶片清洗方法，包括：采用氢氟酸溶液清洗晶片；采用去离子水清洗所述晶片；对所述晶片进行干燥处理；其中，所述氢氟酸溶液和/或去离子水中添加了表面活性剂。本发明在氢氟酸溶液和/或去离子水中添加了表面活性剂，由于表面活性剂能改善晶片表面的斥水性状况，减少了水痕缺陷产生的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 缺陷 晶片 清洗 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
一种减少水痕缺陷的晶片清洗方法，包括：采用氢氟酸溶液清洗晶片；采用去离子水清洗所述晶片；对所述晶片进行干燥处理；其特征在于，所述氢氟酸溶液和/或去离子水中添加了表面活性剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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