[发明专利]发光元件有效

专利信息
申请号: 201110256143.5 申请日: 2011-08-25
公开(公告)号: CN102386294A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 神谷真央;出口将士 申请(专利权)人: 丰田合成株式会社
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/44
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 康建峰;陈炜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种发光元件,其包括:半导体层状结构,该半导体层状结构包括第一导电类型的第一半导体层、发光层以及与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层,发光层和第二半导体层的一部分被去除,以暴露出第一半导体层的一部分;第一反射层,该第一反射层在半导体层状结构上并且包括开口,该开口形成在第一半导体层的被暴露的部分中;透明配线电极,该透明配线电极用于通过开口向第一半导体层或第二半导体层中注入载流子;第二反射层,该第二反射层形成于透明配线电极上并覆盖开口的一部分,以便将从发光层发射并穿过开口的光反射回第一半导体层。
搜索关键词: 发光 元件
【主权项】:
一种发光元件,包括:半导体层状结构,所述半导体层状结构包括第一导电类型的第一半导体层、发光层以及与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层,所述发光层和所述第二半导体层的一部分被去除,以暴露出所述第一半导体层的一部分;第一反射层,所述第一反射层在所述半导体层状结构上并且包括开口,所述开口形成在所述第一半导体层的被暴露的部分中;透明配线电极,所述透明配线电极用于通过所述开口向所述第一半导体层或所述第二半导体层中注入载流子;以及第二反射层,所述第二反射层形成于所述透明配线电极上并覆盖所述开口的一部分,以便将从所述发光层发射并穿过所述开口的光反射回所述第一半导体层。
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