[发明专利]高纯度二氧化硅的生产方法无效
申请号: | 201110256238.7 | 申请日: | 2011-09-01 |
公开(公告)号: | CN102320614A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 吴以舜 | 申请(专利权)人: | 浙江矽昶绿能源有限公司 |
主分类号: | C01B33/12 | 分类号: | C01B33/12 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人: | 李久林 |
地址: | 311100 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种高纯度二氧化硅的生产方法,其步骤包含:A)制备先导物,以化学合成方法制备含氟硅酸盐官能基的含硅氟化物作为先导物;B)纯化先导物,将步骤A)制备的先导物利用纯化手段以去除元素周期表中的III、V族离子杂质,从而得到纯化先导物,该纯化先导物中:硼与磷含量介于1ppm至1ppb之间,过渡金属含量介于1ppm至1ppb之间;更优选,硼与磷含量介于10ppb至1ppb之间;C)以还原剂水解还原先导物制造二氧化硅产品,将依步骤B)纯化分析而得的纯化先导物,以高纯度氨气为还原剂,藉由水解反应还原纯化先导物中的硅,并得到高纯度二氧化硅成品。本技术方案生产的二氧化纯度质量硅高,并且环保低污染、低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 纯度 二氧化硅 生产 方法 | ||
【主权项】:
高纯度二氧化硅的生产方法,其步骤包含:A)制备先导物,以化学合成方法制备含氟硅酸盐官能基的含硅氟化物作为先导物;B)纯化先导物,将步骤A)制备的先导物利用纯化手段以去除元素周期表中的III、V族离子杂质,从而得到纯化先导物,该纯化先导物中:硼与磷含量介于1ppm至1ppb之间,过渡金属含量介于1ppm至1ppb之间;C)以还原剂水解还原先导物制造二氧化硅产品,将依步骤B)纯化分析而得的纯化先导物,以高纯度氨气为还原剂,藉由水解反应还原纯化先导物中的硅,并得到高纯度二氧化硅成品。
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