[发明专利]高纯度二氧化硅的生产方法无效

专利信息
申请号: 201110256238.7 申请日: 2011-09-01
公开(公告)号: CN102320614A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 吴以舜 申请(专利权)人: 浙江矽昶绿能源有限公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 李久林
地址: 311100 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种高纯度二氧化硅的生产方法,其步骤包含:A)制备先导物,以化学合成方法制备含氟硅酸盐官能基的含硅氟化物作为先导物;B)纯化先导物,将步骤A)制备的先导物利用纯化手段以去除元素周期表中的III、V族离子杂质,从而得到纯化先导物,该纯化先导物中:硼与磷含量介于1ppm至1ppb之间,过渡金属含量介于1ppm至1ppb之间;更优选,硼与磷含量介于10ppb至1ppb之间;C)以还原剂水解还原先导物制造二氧化硅产品,将依步骤B)纯化分析而得的纯化先导物,以高纯度氨气为还原剂,藉由水解反应还原纯化先导物中的硅,并得到高纯度二氧化硅成品。本技术方案生产的二氧化纯度质量硅高,并且环保低污染、低生产成本。
搜索关键词: 纯度 二氧化硅 生产 方法
【主权项】:
高纯度二氧化硅的生产方法,其步骤包含:A)制备先导物,以化学合成方法制备含氟硅酸盐官能基的含硅氟化物作为先导物;B)纯化先导物,将步骤A)制备的先导物利用纯化手段以去除元素周期表中的III、V族离子杂质,从而得到纯化先导物,该纯化先导物中:硼与磷含量介于1ppm至1ppb之间,过渡金属含量介于1ppm至1ppb之间;C)以还原剂水解还原先导物制造二氧化硅产品,将依步骤B)纯化分析而得的纯化先导物,以高纯度氨气为还原剂,藉由水解反应还原纯化先导物中的硅,并得到高纯度二氧化硅成品。
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