[发明专利]NAND型非易失性存储器的数据擦除方法

摘要

本发明的目的在于提供不使用P阱或N阱等衬底端子，而放出对非易失性存储元件的电荷存储层注入的电荷的方法，作为NAND型非易失性存储器的数据擦除方法。在NAND型非易失性存储器的数据擦除方法中，通过对位线和源线施加第一电位，对第一非易失性存储元件的控制栅极施加第二电位，而且对第二非易失性存储元件的控制栅极施加与第二电位不同的第三电位，而放出存储在第一非易失性存储元件的电荷存储层中的电荷。

主权项

一种非易失性半导体存储器件，包括：包括沟道形成区的单晶半导体；所述沟道形成区上面的第一绝缘层；中间夹着所述第一绝缘层而形成在所述沟道形成区上面的电荷存储层；所述电荷存储层上面的氮化膜；所述氮化膜上面的第二绝缘层；以及中间夹着所述氮化膜和所述第二绝缘层而形成在所述电荷存储层上面的控制栅极。